Orientador: Helion Vargas

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: O Sinal Fotoacústico de amostras semicondutoras é estudado em função da freqüência de modulação da luz, na configuração de transmissão. É mostrado, no intervalo de freqüência onde a amostra é termicamente grossa, que a amplitude e a fase podem discriminar a diferença entre fontes de calor...

Resumo: O Sinal Fotoacústico de amostras semicondutoras é estudado em função da freqüência de modulação da luz, na configuração de transmissão. É mostrado, no intervalo de freqüência onde a amostra é termicamente grossa, que a amplitude e a fase podem discriminar a diferença entre fontes de calor devido a recombinações rápida e lenta, responsável pelo Sinal Fotoacústico. A caracterização de propriedades térmicas e dos portadores é discutida. A influência da implantação iônica nas propriedades térmicas de amostras de silício à temperatura ambiente é também investigada, usando o método Fotoacústico e medidas de condutividade térmica. É sugerido que o decréscimo na difusividade e condutividade térmicas, com o aumento da concentração da dose de íons implantados, é devido à amorfização da camada implantada

Abstract: The photoacoustic signal of semiconductors samples is investigated as a function of the modulation frequency in a heat-transmission configuration. It is shown that, in frequency range where the sample is thermally thick, the amplitude and phase can single out the different fast and slow...

Abstract: The photoacoustic signal of semiconductors samples is investigated as a function of the modulation frequency in a heat-transmission configuration. It is shown that, in frequency range where the sample is thermally thick, the amplitude and phase can single out the different fast and slow nonradiative recombination heat sources responsible for the photoacoustic signal. The characterization of the thermal and the carrier transport properties is discussed. The influence of ion implantation in the thermal properties of silicon wafers at room temperature, is also investigated using photoacoustic and thermal conductivity measurements. It is suggested that the observed decrease of the values of both thermal difusivity and conductivity, as the implantation dose increase, is due to the amorphization of the implanted layer