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Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD

Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD

Rodrigo Porto Pires

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP P665e

Campinas, SP : [s.n.], 2003.

64f. : il.

Orientador : Edmundo da Silva Braga

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD

Rodrigo Porto Pires

										

Estudo do comportamento eletrico de dispositivos semicondutores fabricados com filmes finos de a-C:H e a-C:H:N obtidos por RF-PECVD

Rodrigo Porto Pires

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