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Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Heloisa Andrade de Paula Tudury

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP T812g

Campinas, SP : [s.n.], 2001.

53f. : il.

Orientador: Fernando Iikawa

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"

Resumo:Estudamos a transição de gap direto-indireto em poços quânticos de dopagem modulada de camadas tensionadas de In1-xG axAs/InP. As amostras analisadas foram crescidas por LP-MOCVD. Os poços quânticos têm largura de 6 nm com concentrações de gálio entre x = 0.47 e 0.60. O objetivo da... Ver mais
Abstract:We have studied the direct-to-indirect gap transition in strained-layer modulation-doped In1-xGaxAs/InP quantum wells. The samples were grown by LP-MOCVD. The quantum wellthickness is 6 nm and their Ga content was varied from x = 0.47 to 0.60. Our purpose is to study the influence of Ga... Ver mais

Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

Heloisa Andrade de Paula Tudury

										

Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP

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