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Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Ricardo Toshinori Yoshioka

TESE

Português

T/UNICAMP Y83p

Campinas, SP : [s.n.], 2001.

230 p. : il.

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Ricardo Toshinori Yoshioka

										

Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

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