Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Ricardo Toshinori Yoshioka

Material

TESE

Idioma

Português

Número de chamada

T/UNICAMP Y83p

Publicação

Campinas, SP : [s.n.], 2001.

Descrição física

230 p. : il.

Nota geral

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart

Nota de dissertação ou tese

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Assuntos

Transistores bipolares

Epitaxia por feixe molecular

Crescimento

Carbono

Berilio

Autoria

Yoshioka, Ricardo Toshinori

Swart, Jacobus Willibrordus, 1950- Orientador

Sites

Arquivos

Ricardo Toshinori Yoshioka

Ricardo Toshinori Yoshioka

Nº de exemplares: 2
Não existem reservas para esta obra

Informações do exemplar	Informações do exemplar	Nº de chamada	Biblioteca	Localização	Situação	QR Code
Tombo: 1150049437 Ano: 2001 Suporte: Impresso Nº de chamada: T/UNICAMP Y83p Biblioteca : BAE Situação: Retido (Aguardando baixa patrimonial) Visualizar QR Code	Tombo: 1150049437 Ano: 2001 Suporte: Impresso	T/UNICAMP Y83p	BAE		Retido (Aguardando baixa patrimonial)
Tombo: 1150049417 Ano: 2001 Suporte: Impresso Nº de chamada: T/UNICAMP Y83p Biblioteca : BCCL Situação: Não circula Visualizar QR Code	Tombo: 1150049417 Ano: 2001 Suporte: Impresso	T/UNICAMP Y83p	BCCL		Não circula

Terminal de consulta web