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Estudo da produção e evolução de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1:H e a-Ge0.9Si0.1

Estudo da produção e evolução de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1:H e a-Ge0.9Si0.1

Ana Melva Champi Farfan

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP C358e

Campinas, SP : [s.n.], 2001.

58p. : il.

Orientador: David Comedi

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"

Resumo: Neste trabalho, apresentamos resultados experimentais de um estudo de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1: H e a-Ge0.9Si0.1. As amostras foram depositadas pela técnica de Ion Beam Sputtering Deposition, usando kriptônio e argônio como gás de sputtering.
Os pinholes foram... Ver mais
Abstract: In this work, experimental results of a study of pinholes in a-Ge0.9Si0.1: H and a-Ge0.9Si0.1thin films are presented. These films were prepared using the ion beam sputtering deposition technique, with krypton and argon as working gases and using different hydrogen partial pressures.... Ver mais

Estudo da produção e evolução de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1:H e a-Ge0.9Si0.1

Ana Melva Champi Farfan

										

Estudo da produção e evolução de pinholes em filmes finos de a-Ge0.9Si0.1:H e a-Ge0.9Si0.1

Ana Melva Champi Farfan

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