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Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores

Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores

Maria de Fatima de Gouveia

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP G745f

Campinas, SP : [s.n.], 2000.

87f. : il.

Orientadores: Vitor Baranauskas, Gilberto Matos Gualberto

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Resumo: Filmes fmos de pentóxido de tântalo (Ta20S) foram crescidos por processo de oxidação anódica, visando sua aplicação como material dielétrico. Os filmes de Ta20S foram obtidos a partir de filmes fmos de tântalo e nitreto de tântalo depositados por sputtering e sputtering reativo com... Ver mais
Abstract: Tantalum pentoxide (Ta20S) thin films were grown by an anodic oxidation process, aiming at its application as a dielectric material. Ta20S films were obtained from tantalum and tantalum nitride deposited by sputtering and nitrogen reactive sputtering. The experimental system for oxidation... Ver mais

Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores

Maria de Fatima de Gouveia

										

Filmes finos de pentoxido de tantalo crescidos por oxidação anodica visando suas aplicações como dieletrico de capacitores

Maria de Fatima de Gouveia

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