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Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet

Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet

Guilherme Sansigolo Lujan

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP L968f

Campinas, SP : [s.n.], 2000.

99 f. : il.

Orientador: Peter Jurgen Tatsch

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Resumo: Neste trabalho são caracterizados filmes finos de WN e AlN obtidos por sputtering DC em ambiente de Nitrogênio. Diodos Schottky sobre GaAs são utilizados para caracterizar os filmes de WN. Os diodos são submetidos a tratamentos térmicos visando o estudo da estabilidade térmica dos contatos,... Ver mais
Abstract: Tungsten Nitride (WN) and Aluminum Nitride (AlN) thin films were deposited by DC sputtering in Nitrogen ambi~nt and characterized in this work. Gallium Arsenide Schottky diodes were used in the characterization of WN films. The diodes were subject to thermal treatments to study the thermal... Ver mais

Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet

Guilherme Sansigolo Lujan

										

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