Obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxido e oxinitreto de silicio em sistema "home-made" de plasma remoto
Anna Paula da Silva Sotero
TESE
Português
(Broch.)
T/UNICAMP So76o
Campinas, SP : [s.n.], 1999.
87p. : il.
Orientadores: Peter Jurgen Tatsch, Jose Alexandre Diniz
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de óxido (SiO2) e oxinitreto de silício (SiOxNy)em sistema "home-made"de plasma remoto (RP) de baixa temperatura. O sistema RP, com gerador de microondas de 2.45GHz e potência de saída de 6OOW,permite a formação...
Ver mais
Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de óxido (SiO2) e oxinitreto de silício (SiOxNy)em sistema "home-made"de plasma remoto (RP) de baixa temperatura. O sistema RP, com gerador de microondas de 2.45GHz e potência de saída de 6OOW,permite a formação de filmes tanto por processos de deposição (RPCVD) como pelo processo de oxidação (RPO). Os filmes foram caracterizados por elipsometria, perfilometria, por taxa de decapagem, microscopia eletrônica de transmissão (TEM), por espectrometria de absorção de intra-vermelho (FTIR), por espectrometria de fotoelétron de raios-x (XPS), por espectrometria de massa do íon secundário SIMS), medidas de capacitância versus tensão (C-V) e medidas de corrente versus tensão (1-V). As espessuras dos filmes produzidos variaram de 3nm a 160nm, as densidades de carga efetivas entre 1.7xl010/cm2eT5xlp12/cm2 e o campo de ruptura dielétrica foi de até 18.3MV/cm...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital
Ver menos
Abstract: This work describes the formation and the characterization of thin and ultra-thin silicon oxide (SiO2) and oxynitride (SiOxNy) films formed by a home-made low temperature remote plasma system (RP). In this system, a 6O0W, 2.45GHz microwave generator, allows the formation of films by...
Ver mais
Abstract: This work describes the formation and the characterization of thin and ultra-thin silicon oxide (SiO2) and oxynitride (SiOxNy) films formed by a home-made low temperature remote plasma system (RP). In this system, a 6O0W, 2.45GHz microwave generator, allows the formation of films by deposition (RPCVD) and oxidation (RPO) processes. The films were characterized by ellipsometry, profilometry, etching rate, transmission electronic microscopy (TEM), fourier transform infrared spectrometry (FTIR), x-ray photoeletron spectrometry (XPS), secondary ion mass spectrometry (SIMS), capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The films presented thicknesses ranging trom 3nm to 160nm, effective charge densities ranging ITom 1.7xlOlO/cm2to 2.5xlO12/cm2and dieletric breakdown fields of 18.3MV/cm...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations
Ver menos
Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
Orientador
Diniz, José Alexandre, 1964-
Coorientador
Paciornik, Sidnei
Avaliador
Danilov, Iouri
Avaliador
Swart, Jacobus Willibrordus, 1950-
Avaliador
Damiani, Furio, 1943-2016
Avaliador
Obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxido e oxinitreto de silicio em sistema "home-made" de plasma remoto
Anna Paula da Silva Sotero
Obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxido e oxinitreto de silicio em sistema "home-made" de plasma remoto
Anna Paula da Silva Sotero
Exemplares
Nº de exemplares: 2
Não existem reservas para esta obra