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Contribuição ao crescimento e caracterização do diamante dopado visando futuras aplicações em eletronica

Contribuição ao crescimento e caracterização do diamante dopado visando futuras aplicações em eletronica

Li Bin Bin

TESE

Português

(Broch.)

T/UNICAMP L612c

Campinas, SP : [s.n.], 2000.

62f. : il.

Orientador: Vitor Baranauskas

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Resumo: Foram realizados estudos de dopagem do diamante, e estudos da interface entre o diamante e o silício poroso. Os filmes foram crescidos pelo método de deposição química a partir da fase vapor assistido por :fi1amento quente. A fonte precursora de carbono foi álcool etílico e acetona, diluídos... Ver mais
Abstract: Studies of diamond doping and of the diamond-porous silicon interface were made. The diamond films were grown by hot :fi1ament chemical vapor deposition (HFCVD). The carbon source was a mixture of ethyl alcohol and acetone, diluted in hydrogen. Boron was introduced as B2O3 diluted in... Ver mais

Contribuição ao crescimento e caracterização do diamante dopado visando futuras aplicações em eletronica

Li Bin Bin

										

Contribuição ao crescimento e caracterização do diamante dopado visando futuras aplicações em eletronica

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