Investigação das propriedades eletrônicas e estruturais de materiais topológicos sob aplicação de pressão uniaxial
Raphael Bonfim de Amorim François
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP F848i
[Investigation of electronic and structural properties of topological materials under uniaxial strain]
Campinas, SP : [s.n.], 2024.
1 recurso online (78 p.) : il., digital, arquivo PDF.
Orientadores: Cris Adriano, Danusa do Carmo
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP), Instituto de Física Gleb Wataghin
Resumo: Semimetais de Weyl antiferromagnéticos têm atraído a atenção dos pesquisadores por causa das possibilidades de aplicações em novas tecnologias. Entretanto, ainda há certa dificuldade no entendimento da topologia desses materiais porque nem sempre é possível observar diretamente suas...
Ver mais
Resumo: Semimetais de Weyl antiferromagnéticos têm atraído a atenção dos pesquisadores por causa das possibilidades de aplicações em novas tecnologias. Entretanto, ainda há certa dificuldade no entendimento da topologia desses materiais porque nem sempre é possível observar diretamente suas estruturas de bandas. Dessa forma, uma técnica que tem se mostrado útil nesses estudos é a aplicação de pressão uniaxial, onde a deformação provocada por ela modifica a topologia do material, fazendo com que as suas propriedades também mudem. Isso não só traz uma nova forma de investigar as propriedades desses materiais, como também possibilita uma forma de controle. Nesta dissertação foram estudadas as propriedades eletrônicas e estruturais de dois semimetais de Weyl sob pressão uniaxial, o Mn3Sn e o GdPtBi. Mn3Sn é um composto do tipo Heusler, hexagonal, com estrutura antiferromagnética triangular não-colinear em temperatura ambiente que gera uma curvatura de Berry remanescente e, com isso, surgem propriedades exóticas, como o efeito Hall anômalo (AHE). Nele foi investigado o comportamento do AHE com pressão uniaxial nas direções do eixo c e ao longo do plano ab. Pressão uniaxial no eixo c não gerou mudanças significativas, entretanto, pressão ao longo do plano ab gerou mudanças no AHE, reduzindo sua amplitude e invertendo de sinal durante a compressão. Juntamente com o comportamento estrutural, observado através de difração de raios X, onde não houve transição estrutural, esses resultados indicaram que o AHE se origina unicamente da estrutura triangular do plano ab. GdPtBi é um composto do tipo Half-Heusler, cúbico, que tem ordenamento antiferromagnético abaixo de 9 K e apresenta propriedades topológicas em baixas temperaturas, como AHE e magnetorresistência (MR) negativa. Sua investigação sob pressão uniaxial mostrou variações no AHE e na curva de MR negativa, indicando que a compressão diminui esses efeitos, enquanto a tensão os aumenta. Analisando mais a fundo essa curva, notou-se que a queda inicial da MR em baixos campos magnéticos, que pode se tratar de um efeito de localização fraca, diminuiu com a compressão. Olhando para altos campos, as oscilações quânticas mostraram movimento nas bandas eletrônicas. Mudanças na resistividade abaixo da ???????? também indicaram movimento nas bandas, apesar de que a transição em si permaneceu inalterada. De maneira geral, a pressão uniaxial se mostrou eficiente para induzir mudanças na superfície de Fermi dos materiais e, com isso, mudar as propriedades topológicas, tanto para entendê-las melhor, como para obter alguma forma de controle sobre elas
Ver menos
Abstract: Antiferromagnetic Weyl semimetals have attracted attention from researchers due to their potential applications in emerging technologies. However, understanding the topology of these materials is challenging as their band structures are not always directly observable. Consequently, a...
Ver mais
Abstract: Antiferromagnetic Weyl semimetals have attracted attention from researchers due to their potential applications in emerging technologies. However, understanding the topology of these materials is challenging as their band structures are not always directly observable. Consequently, a technique that has proven useful in such studies is the application of uniaxial strain, where the resulting deformation alters the material’s topology, leading to changes in its properties. This not only provides a novel avenue for investigating the properties of these materials but also offers a means of control. In this dissertation, the electronic and structural properties of two Weyl semimetals under uniaxial strain, namely Mn3Sn and GdPtBi, were investigated. Mn3Sn is a hexagonal Heusler compound with a non-collinear triangular antiferromagnetic structure at room temperature, giving rise to a non-vanishing Berry curvature and resulting in exotic properties such as the anomalous Hall effect (AHE). The behavior of AHE under uniaxial strain along the c-axis and within the ab-plane was studied. While no significant changes were observed with strain along the c-axis, substantial variations were noted with strain in the ab-plane, including a decrease in the amplitude and sign inversion of the AHE during compression. Alongside structural observations using X-ray diffraction, which revealed no structural transition, these results indicated that AHE solely originates from the ab-plane structure. GdPtBi is a cubic Half-Heusler compound with antiferromagnetic ordering below 9 K, displaying topological properties at low temperatures, such as AHE and negative magnetoresistance (MR). Uniaxial strain investigation showed variation in AHE and in the negative MR curve, suggesting that compression diminishes these effects, while tension enhances them. Further analysis of the MR curve revealed that the initial drop in MR at low magnetic fields, possibly indicative of weak localization effect, diminished under compression. Examining high fields, quantum oscillations demonstrated movement in the electronic bands. Changes in resistivity below ???????? also indicated band movement, although the transition itself remained unaffected. Overall, uniaxial strain proved to be a compelling tool for inducing changes in the Fermi surface of materials, thereby altering their topological properties. This not only enhances our understanding of these properties but also provides a means of control
Ver menos
Requisitos do sistema: Software para leitura de arquivo em PDF
Aberto
Investigação das propriedades eletrônicas e estruturais de materiais topológicos sob aplicação de pressão uniaxial
Raphael Bonfim de Amorim François
Investigação das propriedades eletrônicas e estruturais de materiais topológicos sob aplicação de pressão uniaxial
Raphael Bonfim de Amorim François