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Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs

Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs

Marcelo Luis Francisco Abbade. -

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Ab19c

Campinas, SP : [s.n.], 1997.

55 f. : il.

Orientador: Fernando Iikawa

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Watagin

Resumo: Realizamos um estudo das propriedades ópticas de uma estrutura tipo HEMT de um poço quântico de GaAs/InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs com dopagem modulada. Neste estudo, utilizamos técnicas de medidas de espectroscopia de fotoluminescência, fotoluminescência de excitação, magnetoluminescência e de... Ver mais
Abstract: We report a study on optical properties of a GaAs/ InGaAs/ AIGaAs modulation doped quantum well HEMT structure. In this study we performed photoluminescence, photoluminescence excitation, magnetoluminescence and magnetotransport measurements. The analyzed samples were highly doped in order... Ver mais

Caracterização óptica de uma estrutura tipo HEMT de GaAs/InGaAs/AlGaAs

Marcelo Luis Francisco Abbade. -

										

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