Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento epitaxial de InXGal-XP sobre GaAs que tem por objetivo a obtenção do ln0,49Ga0,51P. Em nosso trabalho, medimos a composição do InXGal-XP e a taxa de crescimento em função do fluxo de TMIn + H2 e a energia da banda proibida em função da composição. Este conjunto de medidas mostra um comportamento anômalo do material em tomo do casamento com o GaAs. Atribuímos este comportamento ao efeito do ordenamento da liga. Dentro da faixas estudadas, verificamos que a taxa de incorporação do Ga aumenta e que a taxa de incorporação do In diminui com o aumento da temperatura de crescimento e que a composição do InXGal-XP em função do fluxo de PH3 é praticamente constante. Realizamos também crescimentos epitaxiais de InXGaMl-XP sobre GaAs com dopagens intencionais de Silício (tipo N) e de Berílio (tipo P) em duas temperaturas de crescimento. Para as dopagens com o Sílicio, verificamos que a concentração de portadores é proporcional à pressão de vapor deste elemento e que não há uma diferença significativa na taxa de incorporação do Sílicio para as duas temperaturas de crescimento. Para as dopagens com o Berílio, verificamos que a concentração de portadores é proporcional à pressão de vapor deste elemento para valores menores que aproximadamente 3,0xl018 cm-3. Vimos que para menor temperatura de crescimento ocorre um aumento da concentração de portadores e a cristalinidade da camada de InxGal-xP:Be melhora. A análise destes resultados indica a formação de complexos de Berílio. Por fim, iniciamos um estudo das interfaces InGaP-GaAs. A análise preliminar dos resultados experimentais mostra que o aumento do fluxo de PH3 melhora a qualidade das interfaces Ver menos

Abstract: We present here a study on the epitaxial growth of lnXGal-XP layers on GaAs aiming at the composition InO.49GaO.51P which is lattice matched to GaAs. In this work we evaluated the growth rate and composition of InXGal-xP as a function of TMIn+H2 f1ow, as well as the variation of band-gap energy with layer composition. This set of results pointed out an anomalous behavior of this temary material for compositions close to the lattice-matched oneswhich is attributed to an ordering effect in the alloy. For the temperature range studied here we observed increasing Ga and decreasing In incorporation rates with growth temperature. Also, the InXGal-xP composition does not depend on PH3 flow. We have cauied out intentiona1 doping of the InxGal-xP/GaAs layers for two different growth temperatures. The dopant sources used were Si (n type) and Be (p type). For the Si-doped material, the cauier concentration is proportional to the Si vapor pressure and there is no significant difference in the Si incorporation rate for the two growth temperatures. For the Be-doped material, the cauier concentration is proportional to the Be vapor pressure on1y for values lower than ~ 3xl018 cm-3. For lower growth temperatures we observe an increase in Be electrical activation as well as an improvement in the crystal quality ofthe InXGal-XP layer. These results indicate the formation of Be clusters at the higher temperatures used here. We have also studied the quality of the InGaP-GaAs interfaces. A preliminary analysis has shown an improvement of these interfaces as a result of increasing PH3 flows Ver menos