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Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio

Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio

Edson Laureto

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP L374e

Campinas, SP : [s.n.], 1995.

71 f. : il.

Orientador: Eliermes Arraes Meneses

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: São investigadas as propriedades elétricas e óticas na região excitônica do InP utilizando as técnicas de efeito Hall e fotoluminescência a baixas temperaturas, respectivamente. As amostras analisadas foram crescidas pela técnica de CBE (epitaxia por feixe químico), cujo sistema foi... Ver mais

Abstract: Not informed

Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio

Edson Laureto

										

Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio

Edson Laureto

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