Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)
Jose Alexandre Diniz
TESE
Português
(Enc.)
T/UNICAMP D615f
Campinas, SP : [s.n.], 1996.
140 f. : il.
Orientador: Peter Jurgen Tatsch
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através da implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2) e de óxido nítrico (NO+) com baixa energia em óxidos de silício crescidos termicamente sobre substratos de silício...
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Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através da implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2) e de óxido nítrico (NO+) com baixa energia em óxidos de silício crescidos termicamente sobre substratos de silício ou em substratos de silício com posterior oxidação térmica... Observação: O resumo na integra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital
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Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy) films by low-energy molecular nitrogen (N/) or nitric oxide (NO+) ion implantation in thermal silicon oxide (SiO2) grown on silicon substrate or into silicon substrate prior to...
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Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy) films by low-energy molecular nitrogen (N/) or nitric oxide (NO+) ion implantation in thermal silicon oxide (SiO2) grown on silicon substrate or into silicon substrate prior to thermal oxidation... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations
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Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
Orientador
Swart, Jacobus Willibrordus, 1950-
Avaliador
Damiani, Furio, 1943-2016
Avaliador
Pudenzi, Márcio Alberto Araújo, 1952-
Avaliador
Morimoto, Nilton Itiro
Avaliador
Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)
Jose Alexandre Diniz
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