Deposição de filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) por plasma de RF
Marco Antonio Robert Alves
TESE
Português
(Broch.)
T/UNICAMP AL87d
Campinas, SP : [s.n.], 1996.
1v.(varias paginações) : il.
Orientador: Edmundo da Silva Braga
Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
Resumo: Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) foram obtidos através .da técnica de deposição química a partir da fase de vapor assistida por plasma de RF (RFPECVD). Os filmes foram depositados em um reator de placas paralelas utilizando como fonte do gás o metano (CH4) e a mistura...
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Resumo: Filmes finos de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) foram obtidos através .da técnica de deposição química a partir da fase de vapor assistida por plasma de RF (RFPECVD). Os filmes foram depositados em um reator de placas paralelas utilizando como fonte do gás o metano (CH4) e a mistura gasosa metano/tetrafluoreto de carbono (CHJCF4).Os filmes de a-C:H foram depositados sobre o substrato de silício visando a fabricação das heteroestruturas metal/a-C:H/silício. A caracterização elétrica dos dispositivos foi realizada levantando as características corrente-tensão (1 x V) e capacitância-tensão (C x V). Observou-se que as heteroestruturas têm propriedades retificadoras, ou seja, se comportam como um diodo de heterojunção ou diodo MIS (metal/isolador/ semicondutor)
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