Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Julio Noboru Sato

DISSERTAÇÃO

Português

T/UNICAMP Sa83c

Campinas, SP : [s.n.], 1996.

67 f. : il.

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo de crescimento homoepitaxial de GaAs que tem por objetivo calibrar o sistema CBE montado na Unicamp, auxiliando no crescimento de ligas ternárias e quaternárias. A escolha do crescimento de GaAs está baseada na sua grande importância em micro e...

Abstract: In this work we present a study on the growth of homoepitaxy of GaAs. Its goal is to calibrate the Chemical Beam Epitaxy system installed at this University, to help in the growth of ternary and quaternary alloys. The choice for GaAs growth was based on its importance for micro and...

Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Julio Noboru Sato


										

Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE

Julio Noboru Sato

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