Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto

Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto

William Cesar Mariano

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP M337o

Campinas, SP : [s.n.], 1996.

119f. : il.

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart

Dissertação (Mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação

Resumo: Filmes dielétricos, são usados em um grande número de aplicações em componentes semicondutores. Várias técnicas de deposição auxiliadas por plasma vem sendo estudadas a fim de se conseguir materiais isolantes de qualidade que possam ser empregados no processo de fabricação de dispositivos....

Abstract: Dieletric films, are used in a large amount of applications in semicondutors devices. Several plasma enhanced deposition techniques have been studied in order to obtain insulating materiais with quality that can be employed in processes of manufacturing of devices. In this work,...

Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto

William Cesar Mariano


										

Obtenção de filmes finos isolantes de SiO2 e Si3N4 por deposição quimica a fase vapor auxiliada por plasma remoto

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