Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Tomas Antonio Costa Badan

DISSERTAÇÃO

Português

(Broch.)

T/UNICAMP B14p

Campinas, SP : [s.n.], 1996.

89f. : il.

Orientador: Furio Damiani

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica

Resumo: Este trabalho é uma contribuição ao desenvolvimento de transistores MESFETs em arseneto de gálio para uso em Circuito Integrados (CIs) de alta velocidade. Inicialmente são descritos processos de fabricação em arseneto de gálio: a obtenção de substratos monocristalinos, a implantação iônica,...

Abstract: This work is a contribution to the development of GaAs MESFETs transistors to use in high speed integrated circuits (CIs). Initially are described the GaAs manufacture processes: monocrystal substrate fabrication, ion implantation, thermal annealing to activate the implanted impurities,...

Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Tomas Antonio Costa Badan


										

Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs

Tomas Antonio Costa Badan

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