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dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.descriptionOrientador: Ivan Emilio Chambouleyronpt_BR
dc.descriptionTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghinpt_BR
dc.format.extent108 f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeTESEpt_BR
dc.titleFilmes finos amorfos e policristalinos para aplicações fotovoltaicaspt_BR
dc.contributor.authorConstantino, Cesarpt_BR
dc.contributor.advisorChambouleyron, Ivan Emilio, 1937-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectFilmes finos - Propriedades óticaspt_BR
dc.description.abstractResumo: Estudam-se filmes finos semicondutores de óxido de estanho, silício amorfo hidrogenado e nitretos de silício amorfo hidrogenado, para aplicações fotovoltaicas. O óxido de estanho preparado pelo método de spray químico a temperaturas baixas (275 ºC) conserva boa transparência e alta condutividade (devida principalmente à incorporação de cloro) que o fazem adequado às aplicações como camada anti-refletora e eletrodo transparente. Os nitretos de silício são obtidos com gap óptico variável entre 1.8 e 2.2 eV e podem ser eficientemente dopados do tipo p, sendo indicados como material "de janela" em estruturas pin. Foram fabricadas células tipo Schottky, utilizando as junções paládio-silício amorfo e óxido de estanho-silício amorfo. A interface Sn02/a-Si:H apresenta reduzida velocidade de recombinação superficial para os portadores foto-gerados, mas uma altura de barreira menor que a estrutura Pd/a-Si:H. Obteve-se uma eficiência de conversão de 0.46% que se acredita estar limitada essencialmente pelas impurezas no materialpt
dc.description.abstractAbstract: We study tin oxide, hydrogenated amorphous silicon and hydrogenated amorphous silicon nitride thin semiconductor films for photovoltaic applications. Highly conductive and transparent tin oxide films were prepared by the chemical spray method at a temperature as low as 275 ºC. Off stoichiometric silicon nitride intrinsic and boron doped films with variable nitrogen content (Eg = 1.8 - 2.2 eV) were prepared. They can be used as window material in photovoltaic devices. Pd-amorphous silicon and SnO2-amorphous silicon Schottky-type solar cells were made. The SnO2/a-Si:H interface presents a reduced surface recombination velocity and a lower barrier height. A conversion efficiency of 0.46% was obtained for the Pd/a-Si:H structure which appears to be limited by impurities in the materialen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued1985pt_BR
dc.identifier.citationCONSTANTINO, Cesar. Filmes finos amorfos e policristalinos para aplicações fotovoltaicas. 1985. 108 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277984>. Acesso em: 4 jun. 2019.pt_BR
dc.description.degreelevelDoutoradopt_BR
dc.description.degreedisciplineFísicapt_BR
dc.description.degreenameDoutor em Ciênciaspt_BR
dc.date.defense1985-07-10T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2019-06-04T10:34:49Z-
dc.date.accessioned2019-06-04T10:34:49Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2019-06-04T10:34:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Constantino_Cesar_D.pdf: 1573780 bytes, checksum: 2f844cbc8dd475b9254a9a7a2902983d (MD5) Previous issue date: 1985en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277984-
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