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dc.contributor.CRUESPUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASpt_BR
dc.descriptionOrientador: Iris Concepcion Linares de Torrianipt_BR
dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin"pt_BR
dc.format.extent57 f. : il.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.languagePortuguêspt_BR
dc.typeDISSERTAÇÃOpt_BR
dc.titleCaracterização de filmes finos por difração de raios-X com baixo ângulo de incidênciapt_BR
dc.contributor.authorCavalcanti, Leide Passospt_BR
dc.contributor.advisorTorriani, Iris Concepcion Linares de, 1934-pt_BR
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghinpt_BR
dc.contributor.nameofprogramPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.subjectRaios X - Difraçãopt_BR
dc.subjectFilmes finospt_BR
dc.subjectRaios X - Difração - Técnicapt_BR
dc.description.abstractResumo: Este trabalho apresenta um estudo de filmes finos e ultrafinos por difração de raios-X com reflexão as simétrica e baixo ângulo de incidência através da utilização do Goniômetro de Guinier. O objetivo principal deste trabalho foi estudar de maneira geral as propriedades da difração por reflexão as simétrica com o intuito de mostrar as possibilidades da técnica na aplicação ao estudo de filmes finos. São apresentados resultados da caracterização de filmes finos de Ge nanocristalino crescidos por sputtering sobre lâmina monocristalina do mesmo material. As análises permitem identificar um perfil de profundidade com relação à textura. Tanto nestas amostras como também em filmes de Au sobre Si monocristalino foi possível subtrair completamente as reflexões do substrato. Outro aspecto interessante desta técnica abordado neste estudo é mostrado com os resultados de uma amostra de GaAs não dopado crescido epitaxialmente sobre substrato de Si monocristalino. Foi obtida uma caracterização da epitaxia sob diferentes ângulos azimutais. Além de mostrar a aplicação desta geometria no estudo dos filmes mencionados, uma grande contribuição desta tese foi, sem dúvida, a implementação da técnica no Laboratório de Cristalografia Aplicada e Raios-X do IFGW onde será usado como importante instrumento de pesquisapt
dc.description.abstractAbstract: In this work we present a study of thin and ultrathin3 films by X-Ray diffraction with asymmetric ref1ection and small incidence angle using a Guinier goniometer. The main purpose of this work was to study, in general, the properties of the diffraction by asymmetric ref1ection showing alI the possibilities of this technique when applied to the study of thin films. We present results on characterization of nanocrystalline Germanium thin films deposited by sputtering on aGe substrate. The analyses allow us to identify a depth profile of the films texture. Both for these Germanium samples and for Gold thin films on monocrystalline Silicon it was possible to suppress the substrate ref1ection. Another interesting aspect of this technique is revealed by the results obtained in the study of an undoped GaAs epitaxial layer grown on a monocrystalline Silicon substrate. A characterization of the epitaxy under different azimuths was obtained. Besides showing the application of this geometry in the study of thin films, another contribution of this thesis as the implementation of the technique in the 'Laboratório de Cristalografia Aplicada e Raios-X' (IFGW) where it is going to be used as an important research toolen
dc.publisher[s.n.]pt_BR
dc.date.issued1995pt_BR
dc.identifier.citationCAVALCANTI, Leide Passos. Caracterização de filmes finos por difração de raios-X com baixo ângulo de incidência. 1995. 57 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin", Campinas, SP. Disponível em: http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277970. Acesso em: 27 jun. 2019.pt_BR
dc.description.degreelevelMestradopt_BR
dc.description.degreedisciplineFísicapt_BR
dc.description.degreenameMestre em Físicapt_BR
dc.contributor.committeepersonalnameSouza, Christina Franco dept_BR
dc.contributor.committeepersonalnameCotta, Mônica Alonsopt_BR
dc.date.defense1995-03-30T00:00:00Zpt_BR
dc.date.available2019-06-27T13:23:24Z-
dc.date.accessioned2019-06-27T13:23:24Z-
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2019-06-27T13:23:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cavalcanti_LeidePassos_M.pdf: 3330779 bytes, checksum: 0ee0ee5329fea84a0242a1b3d9be2a9c (MD5) Previous issue date: 1995en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277970-
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