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2006Litografia por oxidação anódica seletiva de nanodispositivos através de microscopia de força atômicaFernández Siles, Pablo RobertoRibeiro, Gilberto MedeirosDISSERTAÇÃO
2007Propriedades ópticas de pontos quânticos empilhados de InP/GaAsVeloso, Aline BessaIikawa, Fernando, 1960-DISSERTAÇÃO
2001Confinamento lateral de portadores e fótons e o comportamento espectral de laser de três terminaisPataro, Lisandra LosadaFrateschi, Newton Cesário, 1962-DISSERTAÇÃO
2000Confinamento e localização nas propriedades ópticas de heteroestruturas semicondutorasRasnik Favotto, IvanBrasil, Maria José Santos Pompeu, 1961-TESE
2002Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras RenningerGelamo, Rogerio ValentimCardoso, Lisandro Pavie, 1950-DISSERTAÇÃO
2002Moduladores ópticos baseados em lasers de três terminais integrados com transistores de controleSilva Filho, Adenir daFrateschi, Newton Cesário, 1962-DISSERTAÇÃO
2009Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagensJarschel, Paulo Felipe, 1985Frateschi, Newton Cesário, 1962-DISSERTAÇÃO
2001Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBECastro, Maria Priscila Pessanha deFrateschi, Newton Cesário, 1962-TESE
2003Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimicoBettini, JeffersonCarvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-TESE
2006Difração Bragg-Superficie (BSD) : uma sonda de alta resolução para o estudo da implantação de íons em semicondutoresOrloski, Renata VillelaCardoso, Lisandro Pavie, 1950-TESE

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