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1990Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In 0,53 Ga 0,47 AS/In P:FeRocha, StenioCarvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-DISSERTAÇÃO
2009Desenvolvimento de emissores de radiação na faixa de Terahertz baseados em compostos III-V fotocondutivos para espectroscopia e formação de imagensJarschel, Paulo Felipe, 1985Frateschi, Newton Cesário, 1962-DISSERTAÇÃO
2001Dispositivos optoeletrônicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pré-gravados pela técnica CBECastro, Maria Priscila Pessanha deFrateschi, Newton Cesário, 1962-TESE
2003Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimicoBettini, JeffersonCarvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-TESE
1995Difração múltipla de raios-x no estudo de defeitos superficiais em semicondutores com implantação iônicaHayashi, Marcelo AssaokaCardoso, Lisandro Pavie, 1950-DISSERTAÇÃO
1974Comparações entre os metodos K.P semi-empirico e APW-K.P em semicondutores III-V : aplicação ao GaPMoreira, Francisco George BradyParada, Nelson de Jesus, 1939-DISSERTAÇÃO
1979Estudo da aplicação de pressão em semicondutores pelo método SCF-XGuimarães, Paulo SergioParada, Nelson de Jesus, 1939-TESE
2010Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixesMenezes, Alan Silva deCardoso, Lisandro Pavie, 1950-TESE
2006Difração Bragg-Superficie (BSD) : uma sonda de alta resolução para o estudo da implantação de íons em semicondutoresOrloski, Renata VillelaCardoso, Lisandro Pavie, 1950-TESE
1995Caracterização de heteroestruturas InP/GaAs(100) por difração múltipla de raios-XAvanci, Luis HumbertoCardoso, Lisandro Pavie, 1950-DISSERTAÇÃO