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1989Uma nova celula de conversão de tensão em corrente linear baseada na caracteristica quadratica do transistor MOS e aplicaçõesOki, NobuoMoraes, Wilmar Bueno de, 1939-TESE
1983Ligação química em semicondutoresBrum, José Antonio, 1959-Ramos, José Galvão de Pisapia, 1938-DISSERTAÇÃO
1980Estudo da influência de lasers no aprisionamento de portadores, por impurezas em semicondutores submetidos a campos magnéticos fortesNassar, Antonio BoulhosaMiranda, Luiz Carlos Moura, 1943-DISSERTAÇÃO
1989Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônicaOliveira, Rogerio C. dePrince, Francisco Carlos de, 1954-DISSERTAÇÃO
1989Estudo do crescimento epitaxial por fase liquida de GaSb, GaA1Sb e GaA1AsSb e sua aplicação em dispositivos lasersMorosini, Maria Beny Zakia, 1950-Patel, Navin Bhailalbhai, 1942-TESE
1984Células solares com estrutura semicondutor-isolante-semicondutor (SIS)-SnO2/SiO2/(n)SiMarques, Francisco das Chagas, 1957-Chambouleyron, Ivan Emilio, 1937-DISSERTAÇÃO
1986Contribuição ao estudo de defeitos cristalinos em dispositivos semicondutores por catodoluminescênciaMartins, Ricardo BenettonRibeiro, Carlos Alberto, 1942-DISSERTAÇÃO
1988Metodologia semi-custom : um ambiente de projeto de circuitos analogicos dedicado a um "analog-array"Silva, Marly Guimarães daDias, José Antonio Siqueira, 1954-DISSERTAÇÃO
1983Tecnologia MOS canal N com porta de SnO2Braga, Edmundo da Silva, 1945-Mammana, Alaide Pellegrini, 1941-DISSERTAÇÃO
1984Medidas de luminescência em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de cargaBorba, Gilvan LuizCastro, Antonio Rubens Britto de, 1940-DISSERTAÇÃO