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2005Growth And Characterization Of Cubic Inxga1- Xn Epilayers On Two Different Types Of SubstratePacheco-Salazar D.G.; Li S.F.; Cerdeira F.; Meneses E.A.; Leite J.R.; Scolfaro L.M.R.; As D.J.; Lischka K.-Artigo de periódico
2007Ab Initio Study Of Gan/mnxga1-xn Digital HeterostructureMarques M.; Ferreira L.G.; Teles L.K.; Scolfaro L.M.R.; Furthmuller J.; Bechstedt F.-Artigo de evento
2007Theoretical Study Of Magnetic Properties Of Vn, Crn, Mnn, Fen And Con Under StrainRibeiro Jr. M.; Marques M.; Scolfaro L.M.R.; Teles L.K.; Ferreira L.G.-Artigo de evento
2004Theoretical Study Of Strain-induced Ordering In Cubic Inxga 1-xn Epitaxial LayersTeles L.K.; Ferreira L.G.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.-Artigo de periódico
2004Microscopic Description Of The Phase Separation Process In Al Xgayin1-x-yn Quaternary AlloysMarques M.; Teles L.K.; Scolfaro L.M.R.; Ferreira L.G.; Leite J.R.-Artigo de periódico
2005Phase Separation And Ordering In Cubic Ternary And Quaternary Nitride AlloysScolfaro L.M.R.; Teles L.K.; Marques M.; Ferreira L.G.; Leite J.R.-Capítulo de livro
2004Phase Separation, Effects Of Biaxial Strain, And Ordered Phase Formations In Cubic Nitride AlloysTeles L.K.; Marques M.; Ferreira L.G.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.-Artigo de evento
1993Evidence Of A Two-dimensional To Three-dimensional Transition In Si -doped Gaas StructuresMendonca C.A.C.; Plentz F.; Oliveira J.B.B.; Meneses E.A.; Scolfaro L.M.R.; Beliaev D.; Shibli S.M.; Leite J.R.-Artigo de periódico
1990Hot Electrons In Delta-doped Gaas(si) LayersMendonca C.A.C.; Scolfaro L.M.R.; Plentz F.; Meneses E.A.; Oliveira Jr. A.T.; Rodrigues R.; Guimaraes P.S.S.; Bezerra J.C.; Dias I.F.L.; Oliveira A.G.-Artigo de periódico
1992Hole Confinement Effects On Multiple Si δ Doping In GaasShibli S.M.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.; Mendonca C.A.C.; Plentz F.; Meneses E.A.-Artigo de periódico
1991Broadening Of The Si Doping Layer In Planar-doped Gaas In The Limit Of High ConcentrationsRodrigues R.; Guimaraes P.S.S.; Sampaio J.F.; Nogueira R.A.; Oliveira Jr. A.T.; Dias I.F.; Bezerra J.C.; de Oliveira A.G.; Chaves A.S.; Scolfaro L.M.R.-Artigo de periódico
1991Effect Of Temperature On The Built-in Electric Field In Gaas Gaaℓas:si HeterostructuresMartins J.M.V.; Scolfaro L.M.R.; Mendonca C.A.C.; Meneses E.A.; Leite J.R.-Artigo de periódico
1992Electronic Properties Of Si δ-doped Gaas Quantum WellsMendonca C.A.C.; Scolfaro L.M.R.; Oliveira J.B.B.; Plentz F.; Micovic M.; Leite J.R.; Meneses E.A.-Artigo de periódico
1999Raman Scattering Study Of Zincblende Inxga1-xn AlloysTabata A.; Silveira E.; Leite J.R.; Trentin R.; Scolfaro L.M.R.; Lemos V.; Frey T.; As D.J.; Schikora D.; Lischka K.-Artigo de periódico
1999Band-edge Modifications Due To Photogenerated Carriers In Single P-type δ-doped Gaas LayersLevine A.; Da Silva E.C.F.; Sipahi G.M.; Quivy A.A.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.; Dias I.F.L.; Lauretto E.; De Oliveira J.B.B.; Meneses E.A.; Oliveira A.G.-Artigo de periódico
2006Statistical Model Applied To Ax By C1-x-y D Quaternary Alloys: Bond Lengths And Energy Gaps Of Alx Gay In1-x-y X (x=as, P, Or N) SystemsMarques M.; Teles L.K.; Ferreira L.G.; Scolfaro L.M.R.; Furthmuller J.; Bechstedt F.-Artigo de periódico
2006Magnetic Properties Of Gan Mnx Ga1-x N Digital Heterostructures: First-principles And Monte Carlo CalculationsMarques M.; Ferreira L.G.; Teles L.K.; Scolfaro L.M.R.; Furthmuller J.; Bechstedt F.-Artigo de periódico
2007Energy Gap And Bond Lengths Of Alxgayin 1-x-yn, Alxgayin1-x-yp And Al Xgayin1-x-yas Quaternary AlloysMarques M.; Teles L.K.; Ferreira L.G.; Scolfaro L.M.R.; Furthmuller J.; Bechstedt F.-Artigo de evento
2007Magnetic And Electronic Properties Of Transition Metal Nitride Strained LayersRibeiro Jr. M.; Scolfaro L.M.R.; Teles L.K.; Marques M.; Ferreira L.G.-Artigo de evento
2005Ab Initio Studies Of Indium Separated Phases In Algainn Quaternary AlloysMarques M.; Teles L.K.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.; Ferreira L.G.-Artigo de evento