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1995Investigation Of The Photoluminescence Linewidth Broadening In Symmetric And Asymmetric Ingaas Gaas N-type δ-doped Quantum WellsTabata A.; Ceschin A.M.; Quivy A.A.; Levine A.; Leite J.R.; Enderlein R.; Oliveira J.B.B.; Laureto E.; Goncalves J.L.-Artigo de periódico
2005Growth And Characterization Of Cubic Inxga1- Xn Epilayers On Two Different Types Of SubstratePacheco-Salazar D.G.; Li S.F.; Cerdeira F.; Meneses E.A.; Leite J.R.; Scolfaro L.M.R.; As D.J.; Lischka K.-Artigo de periódico
2004Theoretical Study Of Strain-induced Ordering In Cubic Inxga 1-xn Epitaxial LayersTeles L.K.; Ferreira L.G.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.-Artigo de periódico
2004Microscopic Description Of The Phase Separation Process In Al Xgayin1-x-yn Quaternary AlloysMarques M.; Teles L.K.; Scolfaro L.M.R.; Ferreira L.G.; Leite J.R.-Artigo de periódico
1997Growth Of Self-organized Ingaas Islands By Molecular Beam EpitaxyQuivy A.A.; Cotta M.A.; Leite J.R.-Artigo de periódico
2005Phase Separation And Ordering In Cubic Ternary And Quaternary Nitride AlloysScolfaro L.M.R.; Teles L.K.; Marques M.; Ferreira L.G.; Leite J.R.-Capítulo de livro
2004Phase Separation, Effects Of Biaxial Strain, And Ordered Phase Formations In Cubic Nitride AlloysTeles L.K.; Marques M.; Ferreira L.G.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.-Artigo de evento
2004Near Band-edge Optical Properties Of Cubic Gan With And Without Carbon DopingFernandez J.R.L.; Cerdeira F.; Meneses E.A.; Soares J.A.N.T.; Noriega O.C.; Leite J.R.; As D.J.; Kohler U.; Salazar D.G.P.; Schikora D.; Lischka K.-Artigo de evento
1993Evidence Of A Two-dimensional To Three-dimensional Transition In Si -doped Gaas StructuresMendonca C.A.C.; Plentz F.; Oliveira J.B.B.; Meneses E.A.; Scolfaro L.M.R.; Beliaev D.; Shibli S.M.; Leite J.R.-Artigo de periódico
1971Effects Of The Coulomb Correlation On The Calculated Results For Atoms With And Without Spin PolarizationLeite J.R.; Ferreira L.G.-Artigo de periódico
1982Spectrum Of Hydrogen Atoms In Intense Laser FieldsLandgraf T.C.; Leite J.R.; Almeida N.S.; Lima C.A.S.; Miranda L.C.M.-Artigo de periódico
1992Hole Confinement Effects On Multiple Si δ Doping In GaasShibli S.M.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.; Mendonca C.A.C.; Plentz F.; Meneses E.A.-Artigo de periódico
1991Effect Of Temperature On The Built-in Electric Field In Gaas Gaaℓas:si HeterostructuresMartins J.M.V.; Scolfaro L.M.R.; Mendonca C.A.C.; Meneses E.A.; Leite J.R.-Artigo de periódico
1992Electronic Properties Of Si δ-doped Gaas Quantum WellsMendonca C.A.C.; Scolfaro L.M.R.; Oliveira J.B.B.; Plentz F.; Micovic M.; Leite J.R.; Meneses E.A.-Artigo de periódico
1979A Study Of The Ground States And Ionization Energies Of H2, C2, N2, F2, And Co Molecules By The Variational Cellular MethodBrescansin L.M.; Leite J.R.; Ferreira L.G.-Artigo de periódico
1999Raman Phonon Modes Of Zinc Blende Inxga1 - Xn Alloy Epitaxial LayersTabata A.; Leite J.R.; Lima A.P.; Silveira E.; Lemos V.; Frey T.; As D.J.; Schikora D.; Lischka K.-Artigo de periódico
1998Micro-raman And Electron Microscopy Analysis Of Cubic Gan Layers On (001) GaasTabata A.; Enderlein R.; Lima A.P.; Leite J.R.; Lemos V.; Kaiser S.; Schikora D.; Schottker B.; Kohler U.; Lischka K.-Artigo de periódico
1998Optical Characterization Of Gaas/alas Multiple Quantum Wells InterfacesLemos V.; Sergio C.S.; Lima A.P.; Quivy A.A.; Enderlein R.; Leite J.R.; Carvalho Jr. W.-Artigo de periódico
1999Raman Scattering Study Of Zincblende Inxga1-xn AlloysTabata A.; Silveira E.; Leite J.R.; Trentin R.; Scolfaro L.M.R.; Lemos V.; Frey T.; As D.J.; Schikora D.; Lischka K.-Artigo de periódico
1999Band-edge Modifications Due To Photogenerated Carriers In Single P-type δ-doped Gaas LayersLevine A.; Da Silva E.C.F.; Sipahi G.M.; Quivy A.A.; Scolfaro L.M.R.; Leite J.R.; Dias I.F.L.; Lauretto E.; De Oliveira J.B.B.; Meneses E.A.; Oliveira A.G.-Artigo de periódico